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有価証券報告書 抜粋 ドキュメント番号: S1008QZT

有価証券報告書抜粋 株式会社 アルバック 研究開発活動 (2016年6月期)


経営上の重要な契約等メニュー財政状態、経営成績及びキャッシュ・フローの状況の分析

当社グループは、真空技術を応用した次世代・最先端の分野における研究開発活動を経営の重要な柱に位置付けており、当連結会計年度における研究開発活動は、当社を中心として以下のとおり実施いたしております。
技術開発部、超材料研究所、半導体電子技術研究所、未来技術研究所、韓国超材料研究所等海外研究所の各開発拠点において競合他社に先駆けた独創的な新技術の開発、積極的な応用技術の開発を行っております。
今後成長が見込まれる「情報の高度化」分野、「省エネ・創エネ」分野においては、重要領域を定め重点的な開発投資を行うことで、スピードを重視した開発を進めております。
当連結会計年度における研究開発費の総額は62億84百万円となり、セグメントごとに研究開発活動の成果を示すと次のとおりであります。

(真空機器事業)
当社の事業の柱であるフラットパネルディスプレイ(FPD)や半導体、高機能電子デバイス用装置などの電子デバイスの各分野に開発投資を行い、新製品や新技術を創出、受注にも貢献しております。
また、真空ポンプや真空計測機器等各種のコンポーネント分野へも開発投資を行っております。
当セグメントに係る研究開発費は59億19百万円となり、代表的な成果は次のとおりであります。

(1)FPD製造装置
液晶ディスプレイ及び有機ELディスプレイ、フレキシブルディスプレイなどの分野における次世代技術への開発投資を行っております。
モバイル端末用高精細ディスプレイを生産する中小型基板向け量産装置(スパッタリング装置、プラズマCVD装置、有機EL製造装置)では、パーティクルの発生を抑え均一性をさらに改善した新モデルを開発、また、高精細大型TV用液晶ディスプレイ製造装置では、世界最大のG10.5基板に対応した新型スパッタリング装置を開発し、それぞれ商品化いたしました。

(2)半導体及び電子部品製造装置
3次元NANDフラッシュメモリに続く次世代不揮発性メモリ用製造装置では、成膜性能の向上や新プロセスを実現させるモジュールを開発し、市場に投入しております。
また、「情報の高度化」、「省エネ・創エネ」を支える高密度実装、MEMS(微小電気機械システム)、パワー半導体などの高機能電子デバイス用製造装置・プロセスを開発し、市場に投入しております。

(3)コンポーネント
ドライ真空ポンプに接続することで大幅な消費電力削減を実現するドライポンプ省電力化アタッチメント「ECO-SHOCK ES4A」、厳しい環境下でも長寿命で高精度を維持することが可能な電離真空計「G-TRANシリーズ マルチイオンゲージST2」、96ウェルプレートを精密に撹拌する微量精密撹拌機「MICROPADDLE」を開発し、販売を開始いたしました。

(真空応用事業)
ナノテクノロジーやエネルギー及び環境に関連する先端材料、表面分析機器などの開発投資を行っております。
当セグメントに係る研究開発費は3億66百万円となり、代表的な成果としましては、多機能走査型X線光電子分光分析装置(XPS)の感度を従来の3倍に高めた新製品「PHI 5000 VersaProbe III」を開発し、販売を開始いたしました。

経営上の重要な契約等財政状態、経営成績及びキャッシュ・フローの状況の分析


このコンテンツは、EDINET閲覧(提出)サイトに掲載された有価証券報告書(文書番号: [E01589] S1008QZT)をもとにシーフル株式会社によって作成された抜粋レポート(以下、本レポート)です。有価証券報告書から該当の情報を取得し、小さい画面の端末でも見られるようソフトウェアで機械的に情報の見栄えを調整しています。ソフトウェアに不具合等がないことを保証しておらず、一部図や表が崩れたり、文字が欠落して表示される場合があります。また、本レポートは、会計の学習に役立つ情報を提供することを目的とするもので、投資活動等を勧誘又は誘引するものではなく、投資等に関するいかなる助言も提供しません。本レポートを投資等の意思決定の目的で使用することは適切ではありません。本レポートを利用して生じたいかなる損害に関しても、弊社は一切の責任を負いません。
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